FQI7N80TU
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQI7N80TU |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.13W (Ta), 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.6A (Tc) |
FQI7N80TU Einzelheiten PDF [English] | FQI7N80TU PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
FQI7P06 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FAIRCHILD TO-262
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQI7N80TUFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|